【 – 字数作文】
篇一:《日本的性淫乱 究竟源自哪里》
日本的性淫乱 究竟源自哪里
日本最伟大小说男主角至少有5次乱伦
我 们不能一概而论，说所有日本人都是如此；但是从客观上说，日本大和民族乃至相当一部分日本人，确实有着非常鲜明而浓重的个性特征，既不像一般意义上的东方 人也不像一般意义上的西方人，或者说既有东方人的一面也有西方人的一面，这当中既有优点又有缺点。比如说，部分日本人性格当中狠的、硬的、狂的成分，而这 些成分一旦走向极端和偏激，那就成了凶暴、残忍、畸形、变态。是故，相当一部分日本人的男女性关系非常开放、泛滥、病态、混乱，堪称是性淫乱。比如说乱 伦、换妻、兽交、肛交、口交、3P、强奸、轮奸、性虐待、同性恋、童妓、成人礼、色情写真、裸露癖、办公室性骚扰、影视AV、变态节目、“重口味”词汇、 淫秽书刊""五花八门、乱七八糟，十分不堪。
那么，日 本的性淫乱传统，究竟源自哪里呢？一则是前文提到的他们骨子里本来就有的偏激和变态成分，这是遗传基因和种族本性；二则是日积月累的各种文艺作品、精神产 物的影响，这一点与上一点又是相辅相成、互相作用的。说到这里，虽然说日本历史上由古至今这些文艺作品非常之多，但是其最伟大的一部小说——《源氏物语》 更有着不可推卸的责任，甚至这部小说还可能是最终的根源。
日 本平安时代的女作家紫式部撰写的长篇历史小说《源氏物语》，大约成书于公元1001年至1008年之间（中国是北宋初期），是日本乃至全世界第一部长篇小 说，是日本历史上最伟大的古典文学名著，对日本的文学、文化、社会生活、民族性格的发展产生了巨大的影响。小说描写古代日本的风貌，揭露复杂人性和宫廷斗 争，反映当时妇女的无权地位和苦难生活，作者内心细腻、敏感，文字细腻、优美，人物众多、情节纷繁、篇幅宏大，仿佛一部古典静雅而又美丽哀挽的“言情小 说”和世情文学，号称“日本的《红楼梦》”；而这两部小说在许多方面确实有相似之处。
在 《源氏物语》里，记述和描写了男主角光源氏的大量性乱伦情节，想必对后世日本人的性开放思想和行为影响甚大。小说说的是桐壶帝在位时，出身低微的桐壶帝 (光源氏父亲)更衣(光源氏母亲)独得桐壶帝宠爱；后更衣生下一位皇子（即光源氏），其他嫔妃愈加忌恨，更衣不堪凌辱折磨，生子不到3年便悒郁而亡。小皇 子没有强大的外戚做靠山，很难在宫中立足；桐壶帝不得已将其降为臣籍，赐姓光源氏，不仅貌美惊人，而且才华横溢。光源氏12岁行冠礼之后，娶当权的左大臣 之女葵姬为妻；但葵姬不遂光源氏的意，故他又追求桐壶帝续娶的女御藤壶(据说藤壶酷似光源氏生母)，不久两人发生乱伦关系，生下一子，后即位称冷泉帝。光源氏到处偷香窃玉，向伊豫介的后妻空蝉求爱不成，又向比他大7岁的婶母六条妃子求欢，这同样又是乱伦。当光源氏骗拐一位不明身份的弱女子夕颜（其实是他妻子葵姬之兄的情人）去荒屋幽会时，这女子不幸暴亡，故他为此大病一场；病愈上山寺进香时遇到一个女孩，酷似其日思夜想而不得相见的藤壶，得知她是藤壶的侄女紫姬，趁机收为养女，几年后待她长大便把她据为己有，这是第三次乱伦。光源氏还曾在宫廷斗争失败，被迫远离京城，到荒凉少人的须磨、明石隐居时，当地有一明石道人隐居乡野，是其远亲，他又与道人之女明石姬结合并生下一女（后选入宫中做了皇后），这是第四次乱伦。他还奉旨将桐壶帝继任者、其同父异母兄弟朱雀帝的女儿三公主（即其堂侄女）娶为正妻，这是第五次乱伦。——要是把这些都加起来，可比《红楼梦》里所说的“爬灰的爬灰，养小叔子的养小叔子”严重多了。{hq,小说}.
有 人这么评价：“书中大量写实的白描让贵族们糜烂而又出奇优雅美丽的生活横陈在读者眼前，相隔千年却始终魅力不减。对于异国读者而言，弄明白这部著作的首要 问题是心随意动，在没有被大量的人名弄糊涂之前先领略到日本文化里美丽和暧昧交错互动的气氛。书里有许多关于性爱的描写，所以日后出现《失乐园》或是《感 官王国》一类日式作品实在无须惊讶，毕竟1001年的时候，日本人就已经用他们的严肃态度来享受这道人生易垮的堤防。”正是如此。
【补 充：那么，《源氏物语》的性淫乱主题最终又是来自哪里呢？哈哈，转到咱们中国自己的土地上来了。大家都知道，日本人深受中国唐朝传统的影响，而唐朝正是中 国历史上一个男女关系和性生活非常开放甚至随意的时期，我们都说“脏唐臭汗”呢，而《源氏物语》正是受到了唐朝风习的巨大影响。所以说，日本的性淫乱传 统，最终源头是中国唐朝，但直接源头还是《源氏物语》这本东瀛本土小说。中国只是到了宋朝以后，程朱理学盛行，倡导“存天理，灭人欲”，唐朝的这种过于开 放泛滥的作风才受到禁锢和压制。但是，程朱理学在日本并没有什么市场，影响变得很小了。那么，程朱理学对中国历史和中国人的影响究竟利大还是弊大？看来一 言难蔽之。】
篇二:《半导体物理第十章1》
第l0章 半导体的光电特性
本章讨论光和半导体相互作用的一般规律，用光子与晶体中电子、原子的相互作用来研究半导体的光学过程、重点讨论光吸收、光电导和发光，以及这些效应的主要应用。
10.1 半导体的光学常数{hq,小说}.
一、折射率和吸收系数（Refractive index & Absorption coefficient）
固体与光的相互作用过程，通常用折射率、消光系数和吸收系数来表征。在经典理论中，早已建立了这些参数与固体的电学常数之间的固定的关系。
1、折射率和消光系数(Extinction coefficient)
按电磁波理论，折射率定义为
N2ri 0
式中，εr和σ分别是光的传播介质的相对介电常数和电导率，是光的角频率。显然，当σ≠0时，N是复数，因而也可记为
N2nik (10-1)
两式相比，可知
n2k2r,2nk (10-2) 0
式中，复折射率N的实部n就是通常所说的折射率，是真空光速c与光波在媒质中的传播速度v之比；k称为消光系数，是一个表征光能衰减程度的参量。这就是说，光作为一种电磁辐射，当其在不带电的、σ≠0的各问同性导电媒质中沿x方向传播时，其传播速度决定于复折射率的实部，为c/n；其振幅在传播过程中按exp(ωkx/c)的形式衰减，光的强度I0则按exp(-2ωkx/c)衰减，即
II0exp(
2、吸收系数 2kx) (10-3) c
光在介质中传播而有衰减，说明介质对光有吸收。用透射法测定光在介质中传播的衰减情况时，发现介质中光的衰减率与光的强度成正比，即
dII dx
比例系数的大小和光的强度无关，称为光的吸收系数。对上式积分得
II0ex (10-4)
上式反映出的物理含义是：当光在媒质中传播1/距离时，其能量减弱到只有原来的1/e。将式(10-3)与式(10-4)相比，知吸收系数
式中λ是自由空间中光的波长。
2k4k c{hq,小说}.
3、光学常数n、k和电学常数的关系
解方程组(10-2)可得
121/2121/22nr[1(1222)； kr[1(1222) 2r02r02
式中，n、k、σ和r都是对同一频率而言，它们都是频率的函数。当σ≈0时，n≈1/2，k≈0。这说明，非导电性介质对光没有吸收，材料是透明的；对于一般半导体材料，折射率n约为3—4。吸收系数除与材料本身有关外，还随光的波长变化。-1代表光对介质的穿透深度。对于吸收系数很大的情况(例如，α≈1×105cm-1)，光的吸收实际上集中在晶体很薄的表面层内。
小结：光在导电媒质中的传播与光在电介质中的传播相似。所不同的是：在电介质中，电磁波的传播没有衰减；而在导电媒质中，如在半导体和金属内，波的振幅随着透入的深度而减小、即存在光的吸收。这是由于导电媒质内部有自由电子存在，波在传播过程中在媒质内激起传导电流，光波的部分能量转换为电流的焦耳热。因此，导电媒质的吸收系数决定于电导率。
二、反射率、吸收率和透射率
一个界面对入射光的反射率R定义为反射能流密度与入射能流密度之比，透射率T定义为透射能流密度与入射能流密度之比。按能量守恒，同一界面必有R＋T＝1。定义一个物体对入射光的透射率T为透出物体的能流密度与入射物体能流密度之比。按能量守恒 ，必有R＋T＋A＝1，A即为吸收率。
1、光在界面的反射与透射（注意纠正参考书中“系数”和“率”的混乱）
当光波(电磁波)照射到物体界面时，必然发生反射和折射。一部分光从界面反射，另一部分则穿透界面进入物体。当光从空气垂直入射于折射率为N=n-ik的物体界面时，反射率
对于吸收性很弱的材料，k很小，反射率R只比纯电介质的稍大；但折射率较大的材料，其反射率也较大。譬如n=4时，其反射率接近40％。
在界面上，除了光的反射外，还有光的透射。规定透射率T为透射能流密度和入射能流密度之比。由于能量守恒，在界面上透射系数和反射系数满足关系T＝1－R。
2、有一定厚度的物体对光的吸收{hq,小说}.
如图10-1所示，以强度为I0的光垂直入射空气中具有均匀厚度d和均匀吸收系数的物体，物体前后界面（入射面和出射面）都会对入射光有反射和透射，反射率皆为R，但这两个界面各自的入射光强度显然不同。入射面的入射光强度为I0，反射光强度为RI0，透入物体的光强度是(1R)I0；经过物体的吸收衰减之后到达出射界面的光的强{hq,小说}.
度就是(1R)I0exp(αd)，最后透过出射面的光强度就应等于
(1R)2I0exp(αd)。不考虑光在物体中的多次反射，则厚度
为d的均匀吸收体对入射光的透射率按定义可得
T透射光强度(1R)2ed 入射光强度
考虑光在两界面之间的多次反射之后，容易证明（作业）：
（
1－R)2ed
T22d1Re
{hq,小说}.10.2 半导体的光吸收
材料吸收辐射能导致电子从低能级跃迁到较高的能级或激活晶格振动。半导体有多种不同的电子能级和晶格振动模式，因而有多种不同的光吸收机构，不同吸收机构通常对应不同辐射波长，具有不同的吸收系数。
半导体中导致电子从低能带跃迁到高能带的吸收，不同于孤立原子中电子从低能级向高能级跃迁的吸收。孤立原子中的能级是不连续的，两能级间的能量差是定值，因而电子在其间的跃迁只能吸收一个确定能量的光子，出现的是吸收线；而在半导体中，与原子能级相对应的是—个由很多能级组成的能带，这些能级实际上是连续分布的，因而光吸收也就表现为连续的吸收带。
一、本征吸收
价带电子吸收光子能量向高能级跃迁是半导体中最重要的吸收过程。其中，吸收能量大于或等于禁带宽度的光子使电子从价带跃迁入导带的过程被称为本征吸收。
1、本征吸收过程中的能量关系
理想半导体在绝对零度时，价带内的电子不可能被热激发到更高的能级。唯一可能的激发是吸收一个足够能量的光子越过禁带跃迁入空的导带，同时在价带中留下一个空穴，形成电子—空穴对，即本征吸收。本征吸收也能在非零温度下发生。发生本征吸收的条件是
hh0Eg (10-5)
hν0是能够引起本征吸收的最低限度光子能量。因此，对于本征吸收光谱，在低频方面必然存在一个频率界限ν0 (或说在长波方面存在一个波长界限λ0)。当频率低于ν0或波长大于λ0时，不可能产生本征吸收，吸收系数迅速下降。吸收系数显著下降的特定波长λ0（或特定频率ν0）称为半导体的本征吸收限。图10-2给出几种半导体材料的本征吸收系数和波长的关系，曲线短波端陡峻地上升标志着本征吸收的开始。根据式(10-5)，并应用关系式ν=c/λ，可得出本征吸收的长波限λ0（单位为m）与材料禁带宽度Eg（单位为eV）的换算关系为
01.239/Eg
利用此换算关系可根据禁带宽度算出半导体的本征吸收长波限。例如，Si（Eg=1.12eV）的λ0≈1.1m；GaAs（Eg=1.43eV）的λ0≈0.867m，两者的吸收限都在红外区；CdS（Eg=2.42eV）的λ0≈0.513m，在可见光区。图10-3是几种常用半导体材料本征吸收限和禁带宽度的对应关系。
图10-2 本征吸收曲线
图10-3 Eg和λ0的对应关系
2、本征吸收过程中的选择定则
在光照下，电子因吸收光子的跃迁过程，除了能量必须守恒外，还必须满足准动量守恒。设电子跃迁的初、末两态的波矢分别为k和k′，则准动量守恒可表示为如下条件
hk-hk=光子动量
由于在半导体中参与电子跃迁的光子的动量远小于电子的动量，可忽略不计，上式可近似为
kk
这说明，电子因吸收光子而发生的跃迁基本上没有波矢的改变，或说半导体中的电子只在没有明显波矢改变的两个状态之间才能发生只吸收光子的跃迁。这就是电子跃迁的选择定则。
3、直接跃迁和间接跃迁
1）直接跃迁和直接禁带半导体 参照图10-4所示的一维E(k)曲线可见，为了满足选择定则，吸收光子只能使处在价带中状态A的电子跃迁到导带中k相同的状态B。A与B在E(k)曲线上位于同一竖直线上。这种跃迁称为直接跃迁。在A到B的直接跃迁中所吸收的光子能量hν与图中垂直距离相对应。显然，对应于不同的k，垂直距离各不相等。就是说，和任何一个k值相对应的导带与价带之间的能量差相当的光子都有可能被吸收，而能量最小的光子对应于电子从价带顶到导带底的跃迁，其能量即等于禁带宽度Eg。由此可见，本征吸收形成一个连续吸收带，并具有一长波吸收限ν0＝Eg／h。因而从光吸收谱的测量可以求出禁带宽度Eg。在常用半导体中，III-Ⅴ族的GaAs、InSb及Ⅱ-Ⅵ族等材料，导带极小值和价带极大值对应于相同的波矢，常称为直接禁带半导体。这种半导体在本征吸收过程中发生电子的直接跃迁。
由理论计算可知，在直接跃迁中，如果对于任何k值的跃迁都是允许的，则吸收系数与光子能量的关系为：
(h)A(hEg)1/2 当hEg
(h)0 当hEg
式中A基本为一常数。
2）间接跃迁与间接禁带半导体 但是，不少半导体的导带底和价带顶并不像图l0－4所示那样具有相同的波矢，例如锗和硅。这类半导体称为间接禁带半导体，其能带结构如图10-5所示。对这类半导体，任何直接跃迁所吸收的光子能量都应该比其禁带宽度Eg大得多。因此，若只有直接跃迁，这类半导体应不存在与禁带宽度相当的光子吸收。这显然与实际情况不符。这个不符意味着在本征吸收中除了有符合选择定则的直接跃迁外，还存在另外一种形式的跃迁，如图10－5中的O→S跃迁。在这种跃迁过程中，电子不仅吸收光子，同时还和晶格振动交换一定的能量，
图10-4 电于的直接跃迁 图10-5 直接跃迁和间接跃迁
即放出或吸收一个或多个声子。这时，准能量守恒不可能是电子和光子之间所能满足的关系，更主要的参与者应该是声子。这种跃迁被称为非直接跃迁，或称间接跃迁。对这种由电子、光子和声子三者同时参与的跃迁过程，能量关系应该是
h0±Ep=电子能量差E
其中Ep代表声子的能量，“+”号是吸收声子，“－”号是发射声子。因为声子的能量非常小，数量级在百分之几eV以下，可以忽略不计。因此，粗略地讲，电子在跃迁前后的能量差就等于所吸收的光子能量，hν0只在Eg附近有微小的变化。所以，由非直接跃迁得出和直接跃迁相同的关系，即
E= h0=Eg
从第4章已知，声子也具有和能带中电子相似的准动量。对波矢为q的格波，声子的准动量是hq。在非直接跃迁过程中，伴随声子的吸收或发射，动量守恒关系得到满足，可写为
(hk-hk)±hq =光子动量
即电子的动量差±声子动量＝光子动量。略去光子动量，得
kkq
式中，“±”号分别表示电子在跃迁过程中吸收或发射一个声子。上式说明，在非直接跃迁过程中，电子波矢的改变只能通过发射或吸收适当的声子来实现。例如在图10－5中，电子吸收光子而从价带顶跃迁到导带底的S状态时，必须吸收一个q=kS的声子，或发射一个q=－ks的声子。
总之，光的本征吸收过程中，如果只考虑电子和电磁波的相互作用，则根据动量守恒要求，只可能发生直接跃迁；但如果还考虑电子与晶格的相互作用，则非直接跃迁也是可能的，这是由于依靠发射或吸收一个声子，使动量守恒原则仍然得到满足。
由于间接跃迁的吸收过程一方面依赖于电子和电磁波的相互作用，另一方面还依赖于电子与晶格的相互作用，故在理论上是一种二级过程。发生这样的过程，其概率要比只取决于电子与电磁波相互作用的直接跃迁的概率小很多。因此，间接跃迁的光吸收系数比直接跃迁的光吸收系数小很多。前者一般为1~1×103cm-1数量级，而后者一般为1×104~1×106cm-1。
由理论分析可知，当hν＞Eg+Ep时，吸收声子和发射声子的跃迁都可发生；当EgEp＜hν≤Eg+Ep时，只能发生吸收声子的跃迁；当hν≤EgEp时，跃迁不能发生，＝0。
图10-6(a)是Ge和Si的本征吸收系数和光子能量的关系。Ge和Si是间接带隙半导体，光子能量hν0=Eg
时，本征吸收开始。随着光子能量的增加，吸收系数首先上升到一段较平缓的区域，
图10-6 Ge、Si（a）和GaAs(b)本征吸收系数和能量的关系
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